Ferromagnetic semiconductor, method for the production thereof, components incorporating the same, and corresponding uses of said semiconductor

Semi-conducteur ferromagnetique, son procede de fabrication, composants l'incorporant et utilisations de ce semi-conducteur s'y rapportant

Abstract

The invention relates to a ferromagnetic semiconductor of group IV, to a method for the production thereof, to a diode-type electronic component for the injection or collection of spins into or from another semiconductor respectively, or an electronic component which is sensitive to a magnetic field, and to uses of said semiconductor relating to said component. An inventive ferromagnetic semiconductor (1) comprises at least one magnetic element selected from the group consisting of Mn, Fe, Co, Ni and Cr, and has a Curie temperature which is equal to or higher than 350 K, and advantageously equal to or higher than 400 K. Said semiconductor has a matrix (4) which is depleted in magnetic element(s) and contains a discontinued phase which is formed from columns, enriched with magnetic elements, and is ferromagnetic up to said Curie temperature, in such a way as to generate a lateral modulation of the composition of the semiconductor in the plane of the thin layer.
La présente invention concerne un semi-conducteur ferromagnétique du groupe IV, son procédé de fabrication, un composant électronique de type diode pour l'injection ou la collecte de spins dans ou depuis un autre semi-conducteur, respectivement, ou bien de type élément sensible à un champ magnétique, et des utilisations de ce semi-conducteur relatives à ce composant. Un semi-conducteur ferromagnétique (1) selon l'invention comprend au moins un élément magnétique choisi dans le groupe constitué par Mn, Fe, Co, Ni et Cr, et il présente une température de Curie égale ou supérieure à 350 K et avantageusement égale ou supérieure à 400 K. Ce semi-conducteur présente une matrice (4) pauvre en élément(s) magnétique(s), à l'intérieur de laquelle est formée une phase discontinue formée de colonnes (3) qui est riche en élément(s) magnétique(s) et qui est ferromagnétique jusqu'à cette température de Curie, de sorte à générer une modulation latérale de la composition dudit semi-conducteur dans le plan de ladite couche mince.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (3)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    US-2005006673-A1January 13, 2005Btg International LimitedNanowhiskers with PN junctions, doped nanowhiskers, and methods for preparing them
    US-3850706-ANovember 26, 1974IbmMn{11 {118 {11 M{11 {11 Ga Ge FERROMAGNETIC MATERIALS WHERE M COMPRISES TRANSITION METALS
    US-6307241-B1October 23, 2001The Regents Of The Unversity Of CaliforniaIntegrable ferromagnets for high density storage

NO-Patent Citations (2)

    Title
    HIRO AKINAGA ET AL: "Semiconductor Spintronics", IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, IEEE, NEW YORK, NY, US, vol. 1, no. 1, March 2002 (2002-03-01), XP011077057, ISSN: 1536-125X
    YOSHIO MIURA ET AL: "First-principles design of ferromagnetic nanostructures based on group-IV semiconductors", JOURNAL OF PHYSICS: CONDENSED MATTER, INSTITUTE OF PHYSICS PUBLISHING, BRISTOL, GB, vol. 16, no. 48, 8 December 2004 (2004-12-08), pages S5735 - S5738, XP020060478, ISSN: 0953-8984

Cited By (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    FR-2964253-A1March 02, 2012Commissariat Energie AtomiqueMéthode de préparation d'un substrat de gaas pour semi-conducteur ferromagnétique, procédé de fabrication d'un tel semi-conducteur, substrat et semi-conducteur obtenus et utilisations de ce dernier
    WO-2012025841-A1March 01, 2012Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies AlternativesMETHOD FOR PREPARING A GaAS SUBSTRATE FOR A FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING ONE SUCH SEMICONDUCTOR, RESULTING SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR, AND USES OF SAID SEMICONDUCTOR